Struktur und Material von Diodenlasern

In der Grundstruktur gehört der Halbleiterlaser zur pn-Grenzfläche des Halbleiters, aber die Laserdiode ist eine "Double Heterojunction Junction Structure", bei der der Metallmantel die lichtemittierende Schicht (aktive Schicht) von beiden Seiten einschließt. Darüber hinaus wird in der Laserdiode die Grenzfläche als Emitterspiegel (Resonator) verwendet. Bezüglich der verwendeten Materialien gibt es Gallium (GA), Arsen (as), Indium (in), Phosphor (P) usw. Zusätzlich werden auch GA·al·as und dergleichen in dem Multi-Quantum-Well-Typ verwendet .

Halbleiterlasermodul

Aufgrund der Streifenstruktur erhöht selbst ein kleiner Strom die Elektronenzahl-Inversionsdichte des aktiven Bereichs.

Der Vorteil ist, dass die Erregung einfach in einer einzigen Form dargestellt werden kann und ihre Lebensdauer 100000 ~ 1 Million Stunden erreichen kann